2021 年 140 层堆叠 3D NAND Flash 将推出,容量也将翻倍增加

2018-05-16

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  【Technews科技新报】全球半导体材料及设备大厂应用材料公司,在目前举行中的国际储存研讨会2018(IMW 2018)上表示,2021 年3D NAND Flash 的堆叠层数将会超过140 层,而且每一层的厚度会不断的变薄,届时这将提供更大容量,却更小体积的储存空间。

  在国际储存研讨会上,应用材料介绍了未来几年3D NAND Flash 的发展线路图。而且,应用材料指出,自3D NAND Flash 诞生以来,其堆叠层数就在不断的成长。由三星生产的第一代3D V-NAND 只有24 层堆叠,下一代就变成了32 层,随后就到了48 层;到现在,大多数厂商都在生产64 层堆叠的3D NAND Flash。而SK 海力士则是突破瓶颈,开始生产72 层堆叠的3D NAND Flash。预计下一代的3D NAND Flash 堆叠层数将超过90 层,再下一个阶段会超过120 层,而到2021 年时会超过140 层的堆叠数。

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  此外,NAND Flash 的Die Size(裸晶容量)也随着堆叠层数的成长而增加。在32 层时代的时候是128 Gbit,48 层时来到256 Gbit。目前的64 或72 层则是达到512 Gbit 的容量,预计2019 年推出地的96 层堆叠NAND Flash 应该会达到768 Gbit。未来的128 层将会有超过1024Gbit 的Die Size。而预计2021 年推出的144 层堆叠NAND Flash,虽然目前不清楚Die Size 会有多大了,但可以肯定的是绝对大于等于1024 Gbit。

  应材进一步指出,虽然NAND Flash 随着堆叠层数的增加,储存堆叠的高度也在加大,然而每层的厚度随着科技的进步却在缩小中。过去,32 及36 层堆叠的3D NAND Flash 的堆叠厚度为2.5μm,单层厚度大约70nm。到了48 层堆叠的3D NAND Flash 堆叠厚度则为3.5μm,单层厚度减少到62nm。现在的64 或72 层3D NAND Flash 堆叠厚度大约4.5μm,单层厚度减少到60nm。以这样的规则来计算,每升级一个世代,堆叠厚度都会变成原来的1.8 倍,但单层厚度会变成0.86 倍。

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  应材指出,目前各家厂商都在3D NAND Flash 上加大研发水准,尽可能提升自己快闪存储器的储存密度。其中,之前东芝与西部数据就宣布,计划在2018 年内大规模生产96 层堆叠的BiCS4 3D NAND Flash,并会在年底前发货。而随着资料增加越来越快的影响下,3D NAND Flash 的发展也成为各存储器厂努力的目标。以求未来能提供更小体积,更大容量的产品来满足消费者的需求。

(首图来源:美光科技)

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